セラミック製エンドキャップ式IRエミッター：半導体の深層加工における時間コストの削減 私たちがこのセラミック製エンドキャップ式IRエミッターを開発したのは、半導体の深層加工における熱風循環の代わりとして、待機時間を大幅に短縮するためです。 熱風を使う場合、まず空気を加熱し、その熱が基板に届くのを待...

製造現場では、焼成温度が0.1℃変動するだけで、ウェハの寸法にナノメートル単位の変化が生じます。このような変動により、不良品となるウェハが出たり、フォトレジストの余裕がなくなったりし、生産効率も低下します。 技術的に重要な点 私たちは、半導体の熱特性に基づいて線形赤外線加熱装置を設計しました。この...