Stop met tijd verspillen aan het wachten tot de wafer op temperatuur is.
Als je nog steeds gebruikmaakt van hete lucht om de wafer te verhitten, voer je eigenlijk een onmogelijke strijd tegen de klok. Hete lucht werkt namelijk langzaam: je moet eerst de hele kamer en alle lucht daarin opwarmen, voordat de wafer zelfs maar merkt dat er iets gebeurt. Dat leidt tot veel vertragingen die je tijd kostken.
Het gebruik van infraroodstraling verandert alles. In plaats van te wachten tot de lucht op temperatuur is, stuurt infraroodstraling energie rechtstreeks naar het oppervlak van de wafer. Het verschil is enorm: terwijl een systeem met hete lucht minuten nodig heeft om op temperatuur te komen, kan een infraroodsysteem dit in seconden doen.
Bij massaprocesering zijn deze bespaarde seconden geen kleinigheid. Ze leveren extra uren productie per dienst op. Bovendien zijn infraroodlampen relatief klein; ze kunnen direct tegen het oppervlak van de wafer worden geplaatst, zodat er een nauwkeurig gecontroleerde warmtezone wordt gecreëerd. Hierdoor kan de wafer snel op temperatuur worden gebracht en afgekoeld.
Er is echter één nadeel: je kunt niet zomaar een heater vervangen en klaar zijn. Infraroodstraling is krachtig; als de lampen niet goed zijn afgesteld of de dikte van de wafer niet perfect is, kunnen er ‘heette punten’ ontstaan. Het is dus geen ‘plug-and-play’-oplossing. Je moet de PID-regelaars aanpassen om de gewenste temperatuur te bereiken. Anders kan de temperatuur te hoog worden, waardoor de wafer beschadigd kan raken.
Toch is voor de meeste bedrijven het voordeel van infraroodstraling duidelijk: het gaat erom zo snel mogelijk de wafer op de juiste temperatuur te brengen en hem vervolgens zo snel mogelijk af te leveren.