Émetteurs infrarouges à extrémité en céramique : réduction des temps de traitement dans le traitement profond des semi-conducteurs
Nous avons conçu cet émetteur infrarouge à extrémité en céramique pour une raison simple : remplacer la circulation d’air chaud utilisée dans le traitement profond des semi-conducteurs, et ainsi réduire le temps d’attente nécessaire.
Différences entre les deux méthodes : Avec l’air chaud, il faut d’abord chauffer l’air, puis attendre que cette chaleur atteigne le substrat. Avec les rayons infrarouges, l’énergie atteint directement le substrat. Cela permet donc des temps de traitement plus courts.
Détails techniques : puissance, tension et dimensions
Cet émetteur dispose d’une puissance importante : il fonctionne avec une tension de 400 V et délivre 2500 W d’énergie concentrée sur un tube de 300 mm de long.
Pourquoi 400 V ? Cela permet de réduire la consommation d’électricité, ce qui simplifie les connexions électriques. Mais cette puissance nécessite une interface électrique robuste.
Pourquoi 300 mm de longueur ? Cela permet de créer une zone de chauffage bien ciblée. On obtient ainsi l’intensité souhaitée, sans que cela n’affecte trop les dimensions de la machine.
Matériaux et conception : halogène, revêtement et connecteurs
À l’intérieur, on trouve un élément halogène à ondes courtes placé à l’intérieur d’un tube en quartz. Cet élément répond rapidement aux commandes. Ensuite, le tout est enveloppé dans une extrémité en céramique qui résiste aux chocs thermiques sans se fissurer. Cette même extrémité en céramique assure des connexions électriques stables, même lorsque la température varie constamment. Le tube possède également un revêtement spécial qui permet de concentrer les rayons infrarouges et de maintenir une émissivité constante.
Connecteurs : Nous avons choisi des connecteurs de type R7s. Ce sont des connecteurs de qualité industrielle, éprouvés, qui permettent à cette lampe de remplacer facilement les anciennes lampes.
Applications et avantages : traitement profond des semi-conducteurs
Dans le traitement profond des semi-conducteurs, le temps nécessaire pour chauffer les substrats constitue l’un des facteurs qui ralentissent le processus de production. Avec cet émetteur, on peut chauffer directement les wafer et les substrats. Plus besoin de chauffer toute la pièce d’abord. Le démarrage est rapide, et les rampes de température sont immédiates. De plus, l’extrémité en céramique assure une fiabilité accrue, même dans des conditions difficiles.
Inconvénient : cette puissance de 2500 W génère une forte densité de chaleur. Il est donc nécessaire que le système de refroidissement de la machine soit bien configuré pour gérer cette augmentation de température.
Avantages : moins d’interventions de maintenance, plus de temps de fonctionnement, et une ligne de production qui continue à fonctionner sans problème.