Hören Sie auf, Zeit mit dem Warten darauf zu verschwenden, bis die Wafer auf Temperatur sind. Wenn Sie weiterhin eine Heißluftzirkulation für die Verarbeitung der Wafer nutzen, kämpfen Sie im Grunde genommen gegen die Zeit selbst. Heißluft ist schließlich sehr langsam – man muss erst den gesamten Raum sowie die Luft darin erwärmen, bevor die Wafer überhaupt merken, dass etwas vor sich geht. Das bedeutet enorme Verzögerungen, die Ihre Arbeitszeit verschwenden.
Durch den Einsatz von Infrarotstrahlung ändert sich das völlig. Anstelle dessen, dass man darauf wartet, bis die Luft warm wird, sendet Infrarotstrahlung Energie in geraden Linien aus. Diese trifft direkt auf die Oberfläche der Wafer. Der Unterschied ist enorm: Während eine Heißluftanlage Minuten braucht, um stabil zu werden, erreicht eine Infrarotanlage die gewünschte Temperatur bereits in Sekunden.
Bei der Verarbeitung großer Mengen an Wafern sind diese gesparten Sekunden keine „kleinen Vorteile“. Sie summieren sich zu vielen Stunden zusätzlicher Produktivität pro Schicht.
Außerdem sind Infrarotlampen viel kompakter als Heißluftsysteme. Man kann sie direkt neben die Wafer platzieren, wodurch eine kontrollierte Hitzezone entsteht, die es ermöglicht, schnell auf die gewünschte Temperatur zu kommen und wieder abzukühlen.
Aber hier liegt auch das Problem: Man kann einfach nicht einen Heizer austauschen und schon ist alles in Ordnung. Infrarotstrahlung ist nämlich sehr intensiv. Wenn die Lampenanordnung nicht richtig eingestellt ist oder die Dicke der Wafer nicht stimmt, entstehen heiße Stellen. Es handelt sich dabei also nicht um eine „Plug-and-Play“-Lösung. Man muss die PID-Controller entsprechend anpassen, damit die gewünschte Temperatur erreicht wird. Andernfalls könnte die Temperatur zu hoch werden und das Substrat beschädigt werden.
Trotzdem ist für die meisten Betriebe dieses Risiko gerechtfertigt – schließlich geht es darum, die Wafer so schnell wie möglich auf die gewünschte Temperatur zu bringen und sie anschließend abzuliefern.